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SLD50N06T是美浦森（Msemitek）推出的60V/50A N溝道功率MOSFET，采用Trench工藝與D-PAK封裝，主打“低Rdson、低Qg、高雪崩能量”三大特色。它把導(dǎo)通電阻壓到14.9mΩ（@10V）、總柵荷僅48nC，卻仍能承受68mJ單脈沖雪崩能量，非常適合DC-DC同步整流、電機(jī)H橋、鋰電保護(hù)、LED驅(qū)動(dòng)等中壓大電流場(chǎng)合，是硬件工程師口袋里的“60V萬(wàn)能開關(guān)”。
| 項(xiàng)目 | 數(shù)值 | 備注 |
|---|---|---|
| VDS | 60V | 漏源極限耐壓 |
| ID | 50A@25℃ / 33A@100℃ | 連續(xù)漏極電流 |
| IDM | 200A | 脈沖電流(300μs) |
| RDS(on) | 14.9mΩ@10V / 18.5mΩ@4.5V | 典型導(dǎo)通電阻 |
| Qg | 48nC | 10V驅(qū)動(dòng)總柵荷 |
| EAS | 68mJ | 單脈沖雪崩能量 |
| PD | 74W@25℃ | 功耗 |
| θJC | 1.69℃/W | 結(jié)到殼熱阻 |
| TJ | -55~+150℃ | 工作結(jié)溫 |
| 封裝 | D-PAK (TO-252) | 無(wú)鉛，卷帶2500/盤 |
D-PAK（TO-252）尺寸 6.5×9.5mm，腳距2.3mm，背面大面積金屬漏極可直接焊在銅皮上散熱。
θJC=1.69℃/W，連續(xù)50A時(shí)殼溫升高約85℃；若銅皮≥1in2且打6×0.3mm過孔到內(nèi)層，θJA可降至≈40℃/W，常溫下連續(xù)電流能力>35A。
圖5-圖6開關(guān)參數(shù)：
| 型號(hào) | VDS | ID | RDS(on)@10V | Qg | EAS | 封裝 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SLD50N06T | 60V | 50A | 14.9mΩ | 48nC | 68mJ | D-PAK |
| IRFB3306 | 60V | 75A | 13.5mΩ | 120nC | 130mJ | TO-220 |
| AOZ1282 | 60V | 50A | 16mΩ | 62nC | 45mJ | DFN5×6 |
SLD50N06T在Qg與EAS上取得更好平衡，適合中壓、大電流、高頻應(yīng)用，且D-PAK封裝無(wú)鉛、卷帶，SMT產(chǎn)線友好。
結(jié)果：
| Part Number | Top Marking | Package | MOQ | QTY/Reel |
|---|---|---|---|---|
| SLD50N06T | SLD50N06T | D-PAK | 2500 | 25000 |
SLD50N06T用D-PAK封裝實(shí)現(xiàn)了「60V/50A」級(jí)別的中壓大電流驅(qū)動(dòng)：
當(dāng)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC同步整流、鋰電保護(hù)、LED驅(qū)動(dòng)同時(shí)追求「大電流、低損耗、小體積」時(shí)，SLD50N06T就是硬件工程師口袋里的「60V萬(wàn)能開關(guān)」~深圳三佛科技提供技術(shù)支持，批量?jī)r(jià)格有優(yōu)勢(shì)